1 月 25 日，国星光电发布业绩预告称，公司预计 2021 年度实现归属于上市公司股东的净利润约为 19218.17 万元 —21241.14 万元，同比增长 90%—110%，上年同期盈利为 10114.83 万元。

另外，国星光电预计 2021 年度实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润约为 13618.17 万元 —16041.14 万元，同比增长 136.74%—178.86%，上年同期盈利为 5752.48 万元。。

关于业绩变动的原因，国星光电表示，报告期内，得益于国家疫情管控得当，LED 行业景气度探底回暖，公司产品订单量较去年同期取得明显增长，另一方面公司强化内部管理，积极开展降本增效工作围绕生产经营目标与重点工作计划，公司调整产品结构，增加高附加值产品，稳步推进扩产扩能计划

另外，报告期内国星光电非经常性损益金额区间约为 5，200 万元—5，600 万元，上年同期为 4，362.35 万元。

资料显示，国星光电是集研发，设计，生产和销售中高端半导体发光二极管及其应用产品于一体的国家高新技术企业，主营业务为研发，生产与销售 LED 器件及组件产品其深耕电子及 LED 行业 50 余年，产品广泛应用于消费类电子产品，家电产品，计算机，通讯，显示及亮化 产品，通用照明，车灯，杀菌净化，植物照明等领域

对于第三代半导体的布局，国星光电表示，公司一直高度关注三代半领域的技术发展与技术研究，致力于打造高可靠性，高品质的功率器件封测业务在上游芯片领域，公司有布局硅基氮化镓的外延芯片，中游封装领域，公司已建成第三代半导体功率器件实验室及试产线，下游应用领域公司也在积极与相关企业洽谈战略性合作，并针对客户的应用需求定制开发样品等

根据消息显示，国星光电推出的 SiC 功率器件，功率模块和 GaN—DFN 器件 3 大系列第三代半导体新产品，SiC 功率器件可广泛应用于大功率电源，充电桩等工业领域，GaN—DFN 器件可广泛应用于新能源汽车充电，手机快充等，功率模块可广泛应用于各种变频器，逆变器的工业领域。

Micro LED 方面，国星光电发挥子公司国星半导体与本部上下游联动优势，巨量转移工艺取得突破性进展，产品良率高，同时国星半导体已开发了面向于 P0.3 间距及面向 P0.1 间距的 Micro LED 芯片系列，并实现小批量供货给国星光电研究院。目前，该智能健康感测器件已实现量产，并积极与国内外头部品牌厂商联手合作，共同发力可穿戴设备领域。