微导纳米首套高产能300mm龙系列半导体设备顺利发货,达到国际先进水平

来源:IT之家 2021-12-21 10:33:57  阅读量:17727   

,据微导纳米官方发布,12 月 17 日,江苏微导纳米科技股份有限公司为客户定制的高产能 300mm 龙系列半导体设备的各项性能指标均超出同类国产化设备,达到国际先进水平微导近期喜获多台订单,首套于今天顺利发货

微导纳米首套高产能300mm龙系列半导体设备顺利发货,达到国际先进水平

本站获悉,Dragon 6 龙系列半导体设备是由微导研发设计人员针对尖端先进制程客户需求独立研发的高产能先进制程晶圆传输平台,为客户实现产能最大化,性能最优化,易于维护和综合成本最小化的先进制程高端半导体设备该设备更是比肩国际水平的兼容 300mm 和 200mm 的高效晶圆传输平台系统

微导表示,微导自主研发的此类产业化设备完全满足先进制程对半导体设备性能的严格要求,适用于 28nm 乃至更先进技术节点的制程工艺设备,助力客户在制程技术要求日趋复杂的背景下从容应对行业挑战,同时也打破了客户因国外设备垄断而导致的发展瓶颈,进而有力推动半导体行业设备的多元化和产业化健康发展。

在固定的偏置电压下,器件在两种不同波长的光照下呈现独特的光电流极性反转现象。光电流在254nm光照下为负电流,而光电流在365nm光照下为正电流。特别地,为了实现光电流的极性反转,特别设计的顶部p-AlGaN与底部n-GaN一起用于吸收波长为254nm的光。在254nm光的照射下,p-AlGaN和n-GaN中同时产生电子-空穴对。其中,p-AlGaN在电解质溶液中向下的表面能带弯曲有利于光生电子向纳米线表面漂移,驱动质子还原反应,而光生空穴则迁移到p-n结和隧道中的空间电荷区,与n-GaN产生的光生电子复合。同时,n-GaN中的光生空穴流经外部电路,呈现负光电流信号。

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